flash芯片

我们在购买电子产品时，常常听到FLASH闪存这个词。但对于基础小白来说，可能常常搞不清楚SPI Flash、Nand Flash、Nor Flash等都是指什么，今天宏旺半导体就跟大家通俗易懂地讲解一下。 首先，我们了解一下Flash闪存本身，它则是一种非易失性存储，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。Flash按照内部存储结构的不同，可以分为两种：Nor Flash和Nand Flash。 宏旺半导体打个比方说，Nor Flash更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND的成本较NOR来说很低，而容量却大很多。 因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。 首先，SPI是指一种通信接口。那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash，即，可能指NOR也可能是NAND。但现在大部分情况默认下人们说的SPI Flash指的是SPI Nor Flash

据多名从业者反映，目前存储芯片交货的几乎都是年前的订单，因为疫情影响没有新的订单需求。对于行业内的行情，业者多持看好的态度，相信今年的订单需求会随着疫情的好转慢慢转为强劲，下半年也可能出现供不应求的情况。 NAND Flash：因为SSD的缺货，导致大容量Nand Flash近期询盘增多，但是因为大容量Nand flash 单价高，流通度低很少会备货库存持续下降，供给也较为保守。 受5G需求刺激，加上各类产品搭载SSD比重与容量显著提升，终端都积极备货，均成为刺激Nand Flash需求增温的动能，今年NAND价格走势预计稳健向上，下半年也可能面临供给短缺情况。 由于缺货涨价的现象可能还会持续一段时间，建议有SSD相关需求的业者可以考虑适当备货。 Nor Flash：最近一段时间，Nor Flash各品牌在春节后均呈上涨趋势。 Micron方面，近期价格相对比较稳定，但相较其他品牌，价格还是比较高。 而Cypress，在春节过后Nor Flash呈上涨趋势，高容量型号涨幅明显。 Winbond从2019年Q4季度末开始，16M到如今的256M持续涨价，并且都是分货状态，价格变动较大，需要在到货之后确认分货价格。并且由于5G等项目，将进一步影响晶圆供应以及产能，整体来说后期趋势看涨。 来源： 51CTO 作者： 英尚微电子 链接： https://blog.51cto.com

首先仅写入： 发现可以进入debug，而且可以看到内存中确实已经写进去了 运行写入，然后擦除，发现无法进入debug，提示cannot halt the core 但是可以看到已经成功烧录了 这里验证一下写入之后，不写擦除函数，烧录过程是否会擦除数据。 首先打开写入，关闭擦除。 然后关闭写入，关闭擦除 可以看到，内存中依然有数据。所以烧录动作不会擦除所要操作的扇区。 把写入和擦除都关掉看看flash中现在是什么数据 此时可以进入debug 可以发现内存中什么数据也没有。 由于此时的烧录配置是仅擦除扇区，所以猜测应当是刚刚烧录进去的程序已经成功运行了，所以先写入数据之后，又将数据擦除了。下面可以做一个验证。 验证过程： a、首先仅写入数据 这时进入debug后确认flash中已经成功写入了数据。 b、然后关闭写入，打开擦除 这里由于之前发现不能进debug，所以直接进行烧录 c、最后关闭写入且关闭擦除，进debug看数据是否已经擦除 可以看到此时flash的该扇区中已经没有数据了。 由此我们可以得出结论，虽然适用擦除函数后无法进入debug模式，但是可以烧录，并且烧录后确实已经成功执行了擦除动作。由此可以看到影响进入debug模式的，确实是擦除函数。 为了进一步探究并解决该问题，将库函数搬运到测试程序中执行 首先注释掉后面的程序，发现可以进入debug 这里就发现了

背景 容量低于 16M bytes 的 nor，一般使用 3 字节地址模式，即命令格式是 cmd + addr[2] + addr[1] + addr[0] + ... 使用超过 16M bytes 的 nor flash，则需要了解 4 字节地址模式， 即命令格式是 cmd + addr[3] + addr[2] + addr[1] + addr[0] + ... 原因 为什么呢, 因为用 3 个字节表示地址，则其范围是 0x000000 - 0xffffff = 0 - 16M ，超过 16M 的地址就无法表示了，那自然就得上 4 字节了。 驱动修改 新的 uboot, kernel 驱动中都是支持的，配置下就可以了，如配置上 SPI_NOR_4B_OPCODES 。 如果在用的 nor 驱动没有支持，那可以自行根据 datasheet，在初始化的时候判断下容量，加个切换到 4 字节地址模式的操作，后续的读写命令等，也改用 4 字节地址。 注意事项 需要注意的是，一些芯片的 boot rom 无法支持 4 字节地址模式，只会用 3 字节地址模式跟 nor 通信。 所以切换到 4 字节地址模式后会导致直接重启无法正常启动。需要彻底掉电后重新上电，让 nor 因为重新上电默认回到 3 字节地址模式，才能正常启动。 一种处理方式是，在 reboot 的流程中，增加软件退出 4

大家知道目前主流的存储芯片大致可以分为NOR Flash和NAND Flash。容量需要大一点的话，就会用采用NAND Flash。 但用NAND Flash会有哪些问题呢？ 第一，NAND Flash有坏块，要使用NAND Flash，就必须要进行坏块管理，还需要做EDC/ECC，如果需要使用寿命长，还需要做平均读写，垃圾回收等处理。 第二，不同品牌之间的NAND Flash，由于Page，Block大小不同，时序不同等。都需要工程师重新调试驱动。 第三，如果新项目换了新的主控，也需要重新写NAND Flash驱动。 除了上面提到的问题，现在的市场需求变化很快，为了实现新的卖点和功能，产品开发时间都很紧张。开发应用层软件，已经消耗了工程师的大量时间，但为了使用NAND Flash，还需要耗费额外的时间，来编写NAND Flash的底层驱动。 另外随着物联网的兴起，MCU的应用越来越广，MCU就要面对如何管理NAND Flash的问题了。我们知道MCU为了功耗，牺牲了很多性能，如果让MCU直接管理NAND Flash的话，复杂的驱动软件就会大量占用MCU的处理器资源，MCU没法干别的了。 最后物联网产品越来越小型化，对元器件的尺寸要求也是越来越高。 综合以上的情况，大家都在想，是否有一种品质稳定可靠，尺寸又小，简单易用，还不用写驱动的NAND Flash产品呢？ SD

U-boot发展到现在，他的命令行模式已经非常接近Linux下的shell了，命令行模式模式下支持 “Tab”键的命令补全和命令的历史记录功能 。而且如果你输入的命令的前几个字符和别的命令不重复，那么你就只需要打这几个字符即可，比如我想看这个U-boot的版本号，命令就是“ version”，但是在所有的命令中没有其他任何一个的命令是由“v”开头的，所以只需要输入“v”即可。 [ u - boot@MINI2440 ] # version U - Boot 2009 . 11 ( 4月 04 2010 - 12 : 09 : 25 ) [ u - boot@MINI2440 ] # v U - Boot 2009 . 11 ( 4月 04 2010 - 12 : 09 : 25 ) [ u - boot@MINI2440 ] # base Base Address : 0x00000000 [ u - boot@MINI2440 ] # ba Base Address : 0x00000000 由于U-boot支持的命令实在太多，一个一个细讲不现实，也没有必要。所以下面我挑一些烧写和引导常用命令介绍一下，其他的命令大家就举一反三，或者“help”吧！ （1）获取帮助 命令：help 或 ? 功能：查看当前U-boot版本中支持的所有命令。 [ u - boot@MINI2440 ]

在支持Nand Flash操作之前，首先要对Nand Flash的读写方法有一定的了解，参考文章： S3C2440-裸机篇-10 | 使用S3C2440操作Nand Flash 1. 去除nand flash屏蔽 在之前初步移植uboot时，发现开启nand flash之后编译不通过，所以屏蔽了nand flash的使用，在单板配置文件 include/configs/smdk2440.h 中开启： 然后编译，改正编译错误。 2. 定位编译出错问题所在 首先来修复第一个问题： 查看s3c2410_nand.c文件的72行： 这个指针有问题的话，就是nand这个结构体变量的定义问题，找到nand变量的定义： struct s3c2410_nand * nand = s3c2410_get_base_nand ( ) ; 接下来问题就变为 struct s3c2410_nand 这个结构体定义有问题，继续寻找该定义，果然，在文件 arch/arm/include/asm/arch-s3c24x0/s3c24x0.h 中，我们定义的是CONFIG_S3C2440，所以有struct s3c2440_nand的定义，没有struct s3c2410_nand的定义： 3. 修复编译错误 — 添加s3c2440_nand.c文件 3.1. 添加文件到工程中 这里涉及到将所有定义全部改变

转载：http://blog.csdn.net/shuaishuai80/article/details/6202205 介绍的很详细 Flash编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写成1.所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF . 因此可以说，编程是将相应位写0的过程，而擦除是将相应位写1的过程，两者的执行过程完全相反 . (1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NorFlash芯片操作以“字”为基本单位.为了方便对大容量NorFlash闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或64KB的逻辑块，有时块内还分扇区.读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移.应用程序对NandFlash芯片操作是以“块”为基本单位.NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页大小一般是512字节.要修改NandFlash芯片中一个字节，必须重写整个数据块. (2) NorFlash闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NandFlash闪存是连续存储介质，适合存放大的数据. (3) 由于NorFlash地址线和数据线分开，所以NorFlash芯片可以像SDRAM一样连在数据线上.NOR芯片的使用类似于通常内存芯片，传输效率高，可执行程序可以在芯片内执行(XI P, eXecute In Place

不同点： 1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。 3) 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I

1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。 3) 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I