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EOS与ESD 静电可以定义为在材料表面积聚的静电荷。固定电荷之间的相互作用，称为静电，导致两个关键问题：静电过应力（EOS）和静电放电（ESD） ESD 静电放电（ESD–ElectrostaticDischarge）是一种最常见的电磁兼容（ElectroMagneticCompliance，EMC）现象。术语“静电”表示特定物质在与其他物质接触（例如，用脚在羊毛地毯上摩擦）时累积的静电荷。有时在触摸金属或汽车时会产生电火花，这就是静电放电（ESD）现象。放电量取决于物质和环境（包括湿度）。ESD现象不仅仅发生在人与带静电物质接触的情况下。机器和家具（例如，工作台）也会累积静电，并在与电气元件接触时发生放电。 通常，ESD导致半导体行业中超过三分之一的现场故障。半导体中的ESD引起的故障可以以泄漏，短路，烧坏，接触损坏，栅极氧化物破裂和电阻器 - 金属界面损坏的形式看出。CMOS缩放降低了功率并提高了速度，但是由于EOS / ESD条件的原因，更小的尺寸增加了薄栅氧化层损坏的可能性。 半导体芯片尺寸的缩小，薄栅极氧化物，多个电源，芯片复杂性以及高速电路操作都对ESD灵敏度产生显着影响。缩小栅极氧化层厚度需要更少的电压来损坏。 EOS EOS是一个术语，用于描述当IC受到超出器件规格限制的电流或电压时可能发生的热损坏。EOS事件可能会降低IC的性能或导致永久性功能故障