emmc

Android系统测试过程中， 比如接口测试，需要用到设备的iccid, 或者uuid, 车载测试需要用到VIN号(车辆唯一标识号）, 4G测试等需要设计IMEI号等设备配置字参数等， 我们还可以读取到设备的分辨率，emmc磁盘容量， cpu型号，内存大小等，这些硬件配置信息， 可以辅助我们做测试，如何读取到这些硬件信息呢？ 准备阶段 adb shell getprop命令，可以获取到Android设备iccid, imei，emmc磁盘容量等 adb shell wm size 可以读取到分辨率 adb shell cat /proc/cpuinfo 可以读取到cpu相关的信息 adb shell cat /proc/meminfo 或adb shell free 可以读取到内存相关的信息 os.popen()函数可以快速调用以上命令并获取输出字符串。 python的re正则表达式可以轻易地进行数据匹配，查找等强大的字符串处理 getprop命令介绍 getprop命令是android自带的动态获取系统属性参数， 包括了软件，硬件属性参数等，其有好几种执行方式，包括： 用法一： getprop 获取全部系统属性参数， 比如魅族Note5的 getprop我们保存为txt文件（可点击下载） 用法二： getprop 属性名，可获取某个指定属性的具体参数信息，比如： 相对应的

hdparm可以用来进行emmc的读写速率测试，其实dd也可以 ubuntu下安装 zw@zw-pc:apt-get install hdparm test emmc --hdparm测试读性能，dd测试写性能 ddr --dd测试读写性能 来源： CSDN 作者： tccxy_ 链接： https://blog.csdn.net/juewukun4112/article/details/104790488

Packed Commands - Packed Write and Packed Read 在实际应用场景中，通常会对 eMMC Device 有很多随机数据读取和写入操作，这些随机读写的目标地址往往都不是连续的，每一个随机读写都需要通过一个独立的读写流程来实现。 在 eMMC 4.5 及以后的标准中，引入了 Packed Commands 机制，将多个地址不连续的数据写入请求封装到一个 Multiple Block Write 流程中，同时将多个地址不连续的数据读取请求封装的一个 Multiple Block Read 流程中，以此减少读写请求数量，提高数据读写的效率。 Packed Write 发起 Packed Write 流程时，首先 Host 端会需要发送 packed flag 置 1 的 CMD23 SET_BLOCK_COUNT 命令。其中，CMD23 中的 Block Count 参数为 Packed Command Header 和实际写入的数据所占 Block 的总数。 然后 Host 再发送 CMD25 命令给 eMMC Device，开始进行多个 Block 的数据写入。其中第 1 个（或者前 8 个） Block 数据为 Packed Command Header，它包含了各个写请求写入数据的起始地址和长度等信息。 eMMC Devcie

标准SPI 标准SPI通常就称SPI，它是一种串行外设接口规范，有4根引脚信号：clk , cs, mosi, miso Dual SPI 它只是针对SPI Flash而言，不是针对所有SPI外设。对于SPI Flash，全双工并不常用，因此扩展了mosi和miso的用法，让它们工作在半双工，用以加倍数据传输。也就是对于Dual SPI Flash，可以发送一个命令字节进入dual mode，这样mosi变成SIO0（serial io 0），mosi变成SIO1（serial io 1）,这样一个时钟周期内就能传输2个bit数据，加倍了数据传输 Qual SPI 与Dual SPI类似，也是针对SPI Flash，Qual SPI Flash增加了两根I/O线（SIO2,SIO3），目的是一个时钟内传输4个bit 所以对于SPI Flash，有标准spi flash，dual spi , qual spi 三种类型，分别对应3-wire, 4-wire, 6-wire，在相同clock下，线数越多，传输速率越高。 btw：spi flash一般为NOR Flash 快闪存储器（英语：Flash Memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘

作者：Younger Liu， 本作品采用 知识共享署名-非商业性使用-相同方式共享 3.0 未本地化版本许可协议 进行许可。 EMMC与RAND的区别 说到两者的区别，必须从flash的发展历程说起，因为两者都属于flash的范畴。 1. Flash发展历程 1.1 NOR Flash和NAND Flash NOR Flash和NAND Flash，两者均为非易失性闪存模块。 1988年，Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主，可以让微处理器直接读取。因为读取速度较快，但晶片容量较低，所以多应用在通讯产品中，如手机。 1989，东芝公司发表NAND flash结构，强调降低每比特的成本,更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。因为NAND flash的晶片容量相对于NOR flash大，更像硬盘，写入与清除资料的速度远快于NOR。目前已广泛应用在各种存储设备上, 可存储代码和资料。 1.2 NAND Flash发展 NAND Flash的存储单元发展:从SLC, MLC到TLC。 SLC：Single-Level Cell, 即1bit/cell，读写速度快，寿命长，价格是MLC三倍以上，约10万次读写寿命。 MLC：Multi-Level Cell, 即2bit

　　 eMMC应用简介 eMMC的前世今生 一．eMMC的概述 eMMC (Embedded MultiMedia Card) 为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，具有同样的重要性。 二．eMMC的优点 eMMC目前是最当红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、KingMax、东芝(Toshiba)或海力士(Hynix)、美光(Micron)等，入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有哪个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。 而每次NAND Flash制程技术改朝换代，包括70纳米演进至50纳米，再演进至40纳米或30纳米制程技术，手机客户也都要重新设计，但半导体产品每1年制程技术都会推陈出新，存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash的控制芯片都包在1颗MCP上的概念，逐渐风行起来。 eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片

快闪存储器（英语： Flash Memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是非易失性的存储器，所以单就保存数据而言, 它是不需要消耗电力的。 与硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性：当它被制成储存卡时非常可靠，即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。 NorFlash NOR Flash需要很长的时间进行抹写，但是它提供完整的寻址与数据总线，并允许随机存取存储器上的任何区域，这使的它非常适合取代老式的ROM芯片。当时ROM芯片主要用来存储几乎不需更新的代码，例如电脑的BIOS或机上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一万到一百万次抹写循环，它同时也是早期的可移除式快闪存储媒体的基础。CompactFlash本来便是以NOR Flash为基础的，虽然它之后跳槽到成本较低的 NAND Flash。 NandFlash NAND Flash式东芝在1989年的国际固态电路研讨会(ISSCC)上发表的， 要在NandFlash上面读写数据，要外部加主控和电路设计。。NAND Flash具有较快的抹写时间,

前言 使用工具 识别芯片 一. 摘取芯片 二. 制作U盘编程器 三. RT809H编程器读取eMMC芯片数据 四.总结 前言 无处不在的物联网设备，也可能成为无所不在的安全隐患，物联网安全问题一直是困扰物联网快速发展的一大难题。作为安全研究员在研究物联网设备的安全问题时，对设备的固件进行安全分析是必要的。固件是刷写在芯片中的嵌入式系统。固件的获取途径一般有两种，1、从厂商那里申请获取设备的固件。2、从硬件中提取设备固件，需要有相应的测试设备。以下我们以提取国内一家做基于区块链的IoT设备中的固件为例。 使用工具 1.风枪（温度：有铅锡熔点是183℃，拆除理想温度是185~190℃。无铅锡熔点是217℃拆除理想温度是235℃。实际操作更复杂，要多练习才能完好的把芯片取下。） 2.助焊剂 3.镊子 4.U盘编程器 5.锡珠 6.植锡网 7.RT809-H编程器 8.放大镜 识别芯片 常见的识别芯片的方法: 1.可以通过芯片上的标签，标签中可能包含了制造商名称、型号和芯片描述 2.可以通过观察电路的设计方式，如下图(图片来自网络) 片上系统（SoC）是右侧这块最大的芯片，中间的芯片是RAM（与SOC之间的接线是弯曲的，这是为了保证所有连线有相同的长度，因为高速RAM需要准确的定时信号），最左边这片是flash（大量平行的连线用于传输并行的数据信号）。 一. 摘取芯片

1. fastboot flash boot boot.img 当使用上述命令写入编译的Image时，fastboot做了些什么？基于那些信息把Image写到哪里呢？ Android的每一款产品，都有一个partition.xml描述，有关分区的信息。下面是一个例子。 2. eMMC 分区表 Partition# Name# Size# Strat LBA-End LBR Description# 0 MBR & GPT 0x00000000-0x000000FF Master Boot Record and GUID Partition Table 1 x-loader(MLO) 256KB 0x00000100-0x000001FF First stage bootloader 2 bootloader(u-boot.bin) 384KB 0x00000200-0x000005FF Second stage bootloader 3 misc 128KB 0x00000600-0x000006FF Reserved.This partition can be used for internal purpose 4 recovery (zImage + recovery-ramdisk.img) 8MB 0x00000A00-0x000049FF recovery

一、bpi 镜像烧写 http://wiki.banana-pi.org/%E5%BF%AB%E9%80%9F%E4%B8%8A%E6%89%8B_%E9%A6%99%E8%95%89%E6%B4%BE%E9%95%9C%E5%83%8F%E7%83%A7%E5%BD%95%E4%B8%8E%E7%B3%BB%E7%BB%9F%E5%90%AF%E5%8A%A8 1. Windows操作系统下使用 SD Formatter 格式化SD卡 2.使用Win32 Diskimager烧img 二、使用命令将SD卡中的.img镜像烧写到eMMC中 参考链接：http://www.yyearth.com/index.php?aid=209 1.保存img文件在SD卡中,启动bpi,使用dd命令烧进emmc中(emmc设备挂载点使用 df -h查看) 2.参考指令 sudo dd if /dev/mcblk1 bs=10MB 三、SD卡备份（在pc端的ubuntu操作） 参考：https://blog.csdn.net/talkxin/article/details/50456282 指令如下： sudo fdisk -l /dev/sdb sudo umount /dev/sdb2 sudo e2fsck -f /dev/sdb2 sudo resize2fs /dev/sdb2 7G