电阻

过零检测

一曲冷凌霜 提交于 2019-12-11 18:51:17
AC-220V零点检测 一般系统结构都是如下图所示。 过零检测主要有三个作用: (1) 可控硅触发。通过检测AC220V过零点,可以调节可控硅的导通时间,从而进行 电压控制 等。 (2) 继电器保护。当使用继电器控制AC220v通断时,如果继电器在AC220v的峰值附近闭合,则会产生很大的火花,影响继电器的寿命并产生各种电磁干扰,如果在AC220v的过零点处闭合,就会减少影响。 (3) 计时。AC220v频率为50Hz,周期为20ms。经过全波整流后,在每个零点产生中断,可以以10ms为单位进行计时。 设计原理: 过零检测原理图如图 所示,AC220v经过变压器降为AC 9v,然后全波整流,整流后的信号便可以直接用于过零检测。滤波电容c1接后续电路如7805可以作为它用。二极管D1用来隔离整流和滤波部分,保持Zero处的波形,给过零点检测提供信号源。 在Zero处得到取样信号,然后用两个10K电阻分压,分压后接三极管。三极管工作在开关方式,当基极电压Vbe≥0.7V时,三极管导通,输出低电平给PB4;反之三极管工作于截止状态,输出高电平给PB4。Zero处的取样信号和PB4的输入信号对应关系如图 2-2所示。利用PB4的上升沿产生10ms外部中断,每次中断产生时便是AC220v的零点。 本范例使用6个LED作为显示,当每次过零中断产生时刷新LED显示,LED刷新频率如下: LED0

PCB地与机壳电容连接 转

…衆ロ難τιáo~ 提交于 2019-12-08 11:06:01
PCB的地与机壳(连接大地)为什么用阻容连接?只用电容是否可以? - 知乎 https://www.zhihu.com/question/52398463 PCB的地与机壳(连接大地)为什么用阻容连接?只用电容是否可以? PCB板卡置于金属机壳中,机壳一般接大地。PCB的GND与机壳之间经常使用一个电容(0.01uF/1KV)并联一个电阻(1M)连接。请教一下: (1)这么连接据说是为了做ESD保护,具体原理是什么? (2)有些机器只用电容,没有1M电阻,两者有何区别? 作者:卢贤资 链接:https://www.zhihu.com/question/52398463/answer/139585763 来源:知乎 著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权,非商业转载请注明出处。 1. 电容是干啥用的 从EMS(电磁抗扰度)角度说,这个电容是在假设PE良好连接大地的前提下,降低可能存在的,以大地电平为参考的高频干扰型号对电路的影响,是为了抑制电路和干扰源之间瞬态共模压差的。其实GND直连PE是最好的,但是,直连可能不可操作或者不安全,例如,220V交流电过整流桥之后产生的GND是不可以连接PE的,所以就弄个低频过不去,高频能过去的路径。从EMI(电磁干扰)角度说,如果有与PE相连的金属外壳,有这个高频路径,也能够避免高频信号辐射出来。 2. 1M电阻是干啥用的 这是对付ESD

PCB的地与机壳连接方法

冷暖自知 提交于 2019-12-08 11:05:48
PCB的地与机壳(连接大地)为什么用阻容连接?只用电容是否可以? - 知乎 https://www.zhihu.com/question/52398463 PCB板卡置于金属机壳中,机壳一般接大地。PCB的GND与机壳之间经常使用一个电容(0.01uF/1KV)并联一个电阻(1M)连接。请教一下: (1)这么连接据说是为了做ESD保护,具体原理是什么? (2)有些机器只用电容,没有1M电阻,两者有何区别? 作者:卢贤资 链接:https://www.zhihu.com/question/52398463/answer/139585763 来源:知乎 著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权,非商业转载请注明出处。 1. 电容是干啥用的 从EMS(电磁抗扰度)角度说,这个电容是在假设PE良好连接大地的前提下,降低可能存在的,以大地电平为参考的高频干扰型号对电路的影响,是为了抑制电路和干扰源之间瞬态共模压差的。其实GND直连PE是最好的,但是,直连可能不可操作或者不安全,例如,220V交流电过整流桥之后产生的GND是不可以连接PE的,所以就弄个低频过不去,高频能过去的路径。从EMI(电磁干扰)角度说,如果有与PE相连的金属外壳,有这个高频路径,也能够避免高频信号辐射出来。 2. 1M电阻是干啥用的 这是对付ESD(静电放电)测试用的。因为这种用电容连接PE和GND的系统(浮地系统)

电路IO驱动能力

末鹿安然 提交于 2019-12-06 03:29:52
驱动能力 电源驱动能力 -> 输出电流能力 -> 输出电阻 指输出电流的能力,比如芯片的IO在高电平时的最大输出电流是4mA -> 该IO口的驱动驱动能力为4mA 负载过大(小电阻) -> 负载电流超过其最大输出电流 -> 驱动能力不足 -> 输出电压下降 -> 逻辑电路无法保持高电平 -> 逻辑混乱 XX 一般说驱动能力不足是指某个IO口/引脚无法直接用高电平驱动某个外设,需要加三级管(驱动脚由三极管的发射极或集电极提供)或者MOS管。 IO与输出电流 单片机的IO口用程序控制,输出0/1 -> 在引脚形成高低电平。 但程序不能控制引脚的输出电流 -> 输出电流很大程度取决于引脚上的外接器件。 单片机输出低电平时驱动能力ok,输出高电平时驱动能力就不ok了。 拉电流 sourcing current 高电平输出时,一般是输出端对负载提供电流,其提供电流的数值叫“拉电流” 对一个端口而言,如果电流方向是向其外部流动的则是“拉电流”,比如一个IO通过一个电阻和一个LED连至GND,当该IO输出为逻辑1时能不能点亮LED,去查该 器件手册中sourcing current参数。 灌电流 sink current 低电平输出时,一般是输出端要吸收负载的电流,其吸收电流的数值叫“灌电流”。 对一个端口而言,如果电流方向是向其内部流动的则是“灌电流”

指示灯上下拉

十年热恋 提交于 2019-12-05 05:07:58
对于指示开关机的红绿灯由芯片IO口控制,原本可以直接将控制信号加在IO指示灯上面的(一般会串个电阻限制电流,emmmm防止灯坏了吧,然后这些发光二极管是当电压达到其导通电压后,它的亮度就受电流控制,随电流增大而更亮),括号有点长,后面有更长的。但是会加一个上拉电阻或者下拉电阻,是为了防止IO口在不受控状况下(如芯片在初始化之前、初始化时等情况这时IO口状态不定,举个栗子、离子、梨子,一个待机指示灯,板子上电后,芯片初始化前IO口输出高使灯亮,尔后,芯片初始化时,IO口输出低,灯变暗,然后芯片初始化结束,因为没有开机,在待机状态,指示待机灯亮,所以在开机之前灯是这样的:亮-灭-亮,这在客户使用是影响人家emmm就是觉得不对,你懂吧)使指示灯表示在一个希望的亮度下,也有可能是因为芯片IO口驱动能力不够,不过这个板子是够的。 那么为了防止指示灯表示在一个不确定的亮度下,加了一个上拉,或下拉,这样你就可以学而不思则罔,来让这个前后差别不是这么大,当然,如果电阻选的合适,分压后的电压大小跟正常的一样那么就看不到差别了,还看到差别是分压分的跟正常的不一样。 来源: https://www.cnblogs.com/timeisit/p/11908567.html

每天积累一点:射频阻抗

偶尔善良 提交于 2019-12-04 23:56:54
对我来说,阻抗是一个非常令人困惑的概念(术语)。以下是我第一次学习阻抗概念时脑海中出现的许多问题。同样的问题也让你烦恼吗? 当我第一次在高中物理中学习“电阻(Resistance )”时,它说“电阻是一种使电流变得困难的趋势”,并且它对我来说听起来困扰了我很长时间。 像往常一样,当我第一次听到“阻抗(impedance)”时,我只是试着将其转换成一种简单的语言。但是当我试图将它转换成简单的语言时,所有的混乱都开始出现,当我试图深入了解这个概念时,我会得到更多的问题。 在“电阻”和“阻抗”之间,我没有看到简单语言方面来阐述这两者之间的差异。但如果没有差异,为什么我们需要一个新的术语?所以…我会说“电阻”和“阻抗”有非常密切的关系但不完全相同。那有什么区别?这就是我将在下一节中讨论的内容。 什么是阻抗 什么是阻抗(impedance)? 现在让我们尝试以更正式的方式定义“Impdeance”。如果我被要求用我自己的话来定义’Impedence’,我会定义“阻抗是改变(CHANGE)当前电流的任何形式的趋势,”。我在我的定义中使用了“CHANGE(改变)”这个词,而不是“OPPOSE(阻止)”或“MAKE DIFFICULT(变得困难)”。当然,“OPPOSE”或“MAKE DIFFICULT”可以是一种“改变”,但不解释“CHANGE(改变)”的所有方面。 我知道数学对你不太重要 -

STM32输入模式

僤鯓⒐⒋嵵緔 提交于 2019-12-03 20:20:50
一、推挽输出: 可以输出高,低电平,连接数字器件; 推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止。高低电平由IC的电源决定。推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。    当一个三级管开通的时候另一个关断,根据B端来确定, 这是一个比较器 当a>b时B 输出为0;当a<b时B输出为1 当B为1时上边三极管导通,下边关闭; 当B为0时下边三极管导通,上边关闭。 此为推挽   二、开漏输出: 当B为1时,这个管子导通,OUT接地,输出为0;当B为0时管子不导通,OUT接VCC输出为1.开漏输出:一般只能输出低电平,输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).开漏形式的电路有以下几个特点: 利用外部电路的驱动能力,减少IC(集成电路,也称芯片)内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。 一般来说,开漏是用来连接不同电平的器件

20191105

天涯浪子 提交于 2019-12-03 16:36:10
虽然之前的寄存器啥的指向哪里哪里看明白了,但是它里面的数字代表的意思还是模糊,所以找了一下以供参考。 一、推挽输出: 可以输出高,低电平,连接数字器件; 推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止。高低电平由IC的电源决定。推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。    当一个三级管开通的时候另一个关断,根据B端来确定, 这是一个比较器 当a>b时B 输出为0;当a<b时B输出为1 当B为1时上边三极管导通,下边关闭; 当B为0时下边三极管导通,上边关闭。 此为推挽   二、开漏输出: 当B为1时,这个管子导通,OUT接地,输出为0;当B为0时管子不导通,OUT接VCC输出为1.开漏输出:一般只能输出低电平,输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).开漏形式的电路有以下几个特点: 利用外部电路的驱动能力,减少IC(集成电路,也称芯片)内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up

别人的面试题

旧时模样 提交于 2019-12-03 15:30:35
1、单片机的最小系统?内部主要结构? 电源、晶振、复位 2、单片机的IO口有什么作用?驱动能力?上下拉电阻的作用? 用来定义相应I/O口位的输入输出状态和方式 1)提高驱动能力: 例如,用单片机输出高电平,但由于后续电路的影响,输出的高电平不高,就是达不到VCC,影响电路工作。所以要接上拉电阻。下拉电阻情况相反,让单片机引脚输出低电平,结果由于后续电路影响输出的低电平达不到GND,所以接个下拉电阻。 2)在单片机引脚电平不定的时候,让后面有一个稳定的电平: 例如上面接下拉电阻的情况下,在单片机刚上电的时候,电平是不定的,还有就是如果你连接的单片机在上电以后,单片机引脚是输入引脚而不是输出引脚,那这时候的单片机电平也是不定的,R18的作用就是如果前面的单片机引脚电平不定的话,强制让电平保持在低电平。 3、下列定义变量方法错误的是 int ab_2 int _2a3 int 2_ab int ab_2 变量名不能以数字开头 4、写出下列代码输出内容 #include <.h> int main(int argc, char const *argv[]) { int a,b,c,d; a = 10; b = a ++; c = ++ a; d = 10 * a ++; printf("b:%d,c:%d,d:%d\n",b,c,d); return 0; } b:10,c:12,d

2019年11月4日

不打扰是莪最后的温柔 提交于 2019-12-03 11:30:27
  一、推挽输出: 可以输出高,低电平 ,连接数字器件; 推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止。高低电平由IC的电源决定。 推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。    当一个三级管开通的时候另一个关断,根据B端来确定, 这是一个比较器 当a>b时B 输出为0;当a<b时B输出为1 当B为1时上边三极管导通,下边关闭; 当B为0时下边三极管导通,上边关闭。 此为推挽    二、开漏输出: 当B为1时,这个管子导通,OUT接地,输出为0;当B为0时管子不导通,OUT接VCC输出为1. 开漏输出: 一般只能输出低电平 ,输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内). 开漏形式的电路有以下几个 特点 : 利用外部电路的驱动能力,减少IC(集成电路,也称芯片)内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。 一般来说