电容电阻

常用电子元器件有哪些?你认识几个?对于从事电子行业的工程师来说，电子元器件是每天都需要去接触，每天都需要用到的，但其实里面的门门道道很多工程师未必了解。这里列举出工程师门常用的十大电子元器件，及相关的基础概念和知识，和大家一起温习一遍。 一、电阻 作为电子行业的工作者，电阻是无人不知无人不晓的。它的重要性，毋庸置疑。人们都说“电阻是所有电子电路中使用最多的元件。”电阻，因为物质对电流产生的阻碍作用，所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致电子流通量的变化，电阻越小，电子流通量越大，反之亦然。没有电阻或电阻很小的物质称其为电导体，简称导体。不能形成电流传输的物质称为电绝缘体，简称绝缘体。 在物理学中，用电阻(Resistance)来表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种特性。电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高 1℃时电阻值发生变化的百分数。 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1 表示编号为 1 的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。 二、电容 电容(或电容量，Capacitance)指的是在给定电位差下的电荷储藏量;记为 C，国际单位是法拉(F)。一般来说

晶振及其内部电路详解： 晶振原理： 晶振，在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低 的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄， 所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。 晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。 一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。 一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。 负载电容+等效输入电容=22pF 无源晶振 有源晶振： 晶振是为电路提供频率基准的元器件，通常分成有源晶振和无源晶振两个大类，无源晶振需要芯片内部有振荡器，并且晶振的信号电压根据起振电路而定

基础篇 – 电阻电容电感选型 感谢阅读本文，在接下来很长的一段时间里，我将陆续分享项目实战经验。从电源、单片机、晶体管、驱动电路、显示电路、有线通讯、无线通信、传感器、原理图设计、PCB设计、软件设计、上位机等，给新手综合学习的平台，给老司机交流的平台。所有文章来源于项目实战，属于原创。 以下内容为个人经验分享，仅供参考。 STC15实战项目MP2451电源图: 一、电阻 1、选型依据 阻值:电阻值; 封装:常用封装0201,0402,0603,0805,1206,1812等； 功耗:1/16W,1/10W,1/8W,1/4W,1/2W,1W,2W,3W等； 精度:1%，5%等。 2、选型方法 ①、优先考虑阻值，对于不常见的阻值，可以通过电阻的串联与并联代替； ②、计算功耗: P = I²R 或 U²/R， 根据功耗，合理选择封装，一般0402的最大功耗为1/16W,0603的最大功耗为1/10W,0805的最大功耗为1/8W,具体看电阻的选型手册。 ③、考虑精度：作为反馈环路、分压的电阻，一般选择精度为1%的，其它的，选择精度为5%的即可； ④、考虑成本:精度1%的比精度5%的贵，封装不同，价格也有些差异，常用的封装，价格稍微便宜些； ⑤、考虑PCB尺寸：板子越小，封装尽量用小点的，比如手机一般用0201，迷你型产品，0402用的多， 一般的产品，0603居多； ⑥、考虑加工

位置传感器在电子设备中，智能车比赛中有着广泛的应用。在Electronics Hub网站看到一篇比较全面介绍常用位置传感器的文章，其中包括有电位器、电容位置传感器、电感位置传感器、LVDT（线性差变变压器）、涡流接近传感器、霍尔传感器、旋转光电编码器、光电位置传感器、光纤位置传感器等。 本文先摘取前面两个传感器的内容，其他类型的传感器将来在进行汇总。 简 介 None 位置传感器通过检测目标是否存在，方位，速度，运动或者距离来保障运动控制、计数、或者编码任务的完成。 位置传感器可以用于检测目标的位置，电磁场的波动并将这些物理参数转换成输出电信号来提供目标位置信息。 随着技术的发展，传感器的体积、价格越来越小，性能越来越高，为很多应用提供了便利。 位置传感器的类型 None 根据传感器检测方式的不同，可以将位置传感器分为以下两大类： 征象类型名称所表明的那样，接触性的传感器有着和被检测物相互接触的物理点，此类传感器包括有：极限开关，基于电阻的位置传感器。接触类型的位置传感器 一般价格较低，并未应用中 允许物理接触点存在。 非接触类型的位置传感器与被检测物之间没有物理接触点。他们一般是基于静态磁场检测的传感器、接近开关、霍尔传感器、超声传感器、激光传感器等等。 每种类型的位置传感器都有各自的优缺点。针对特定应用选择满足需求，而且价格便宜的传感器。 基于电阻的位置传感器、电位器 None

电容的分类 电容的种类有很多，但电路设计中常用的电容主要有陶瓷电容（Ceramic capacitor）、钽电容（Tantalum）和铝电解电容（Aluminum Eletrolytic Capacitor）。 陶瓷电容及其应用要点 平常见的最多的陶瓷电容是MLCC（Multi-layers ceramic capacitor）电容，内部结构如图： 优势是体积小、价格低、稳定性好，但容量小。目前常用的陶瓷电容，其容值小的可以到几十皮法，大的可以到几十微法。 平时经常提到的X7R、X5R、X7S、Y5V等，就是陶瓷电容，符号的含义如下表： NPO 是温度补偿型陶瓷电容，是电容量最稳定的一种陶瓷电容。工作温度范围为-55℃~+125℃，可以认为在这个范围内，电容量基本保持不变。 X7R 表示工作温度范围为-55℃~+125℃，温度稳定性为+/-15%的陶瓷电容。 X5R 表示工作温度范围为-55℃~+85℃，温度稳定性为+/-15%的陶瓷电容。 有效容值 对于X7R /X5R和Y5V这三种类型的陶瓷电容，标称电容值都是在环境温度25℃/工作电压等于0V时得到的值。 如果环境温度和工作电压发生变化，则有效容值将会发生变化。 例如额定电压10V/标称值22uF的Y5V电容，理想状态（即工作电压0V，环境温度25℃）下，有效值为标称值（22uF）. 如果保持其环境温度为25℃不变

时间： 2018.3 .12 作者：Tom 工作：HWE 说明：如需转载，请注明出处。 1.什么是电容？ 百度百科中介绍"电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母 C 表示。定义 1 ：电容器，顾名思义，是'装电的容器'，是一种容纳电荷的器件。英文名称： capacitor 。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制等方面。定义 2 ：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。" 我们知道 电容的基本功能就是充电和放电，而电容的充放电也使得电容两端没有电压突变。电容的基本特性是：通交流，隔直流；通高频，阻低频。 电容对于硬件工程师来说也是一个非常重要的元件，对电容的熟练应用也是基本功之一。 电容是电路设计中最为常见的器件，但同时电容也是最容易被忽略的器件。很多单板的设计失败，有时根本原因就在电容。 2.电容的阻抗及特性参数 电容的阻抗：Xc = 1/(wC) = 1/(2*π*f*C)。 对于同一个f，C越大，Xc越小。对于同一个C，f越高，Xc越小。 电容的主要特征参数： 额定电压： 这个使我们硬件设计时候非常关心的。如果电压超过电容器的耐压，电容器可能被击穿，造成不可修复的永久损伤。一般情况下，无极性电容的额定电压较高，极性电容的额定电压较低。

摘要 电磁兼容的问题常发生于高频状态下，个别问题（电压跌落与瞬时中断等）除外。所以在 电磁兼容 设计中一定要有高频思维，总而言之，就是注意高频条件下的器件的特性和电路的特性，在高频情况下和常规频率状态下是不一样的，如果仍然按照普通的工程思维来判断分析，则会走入设计的误区。 关键词 高频 电容 电感 线缆 器件及电路在高频条件的特征 一 电容 在中低频或直流情况下，电容就是一个储能组件，只表现为一个电容的特性，但在高频情况下，它就不仅仅是个电容了，它有一个理想电容的特性，有漏电流（在高频等效电路上表现为R），有引线电感，还有导致电压脉冲波动情况下发热的ESR（等效串联电阻），如图： 从这个图上分析，能帮我们设计师得出很多有益的设计思路。 首先，按照常规思路，Z＝1／(2πfC)，Z是电容的容抗，应该是频率越高，容抗越小，滤波效果越好，即越高频的杂波越容易被泄放掉，但事实并非如此，因为引线电感的存在，一颗电容仅仅在其1/2πfc=2πf L等式成立的时候，才是整体阻抗最小的时候，滤波效果才最好，频率高了低了都会滤波效果下降，由此就可以分析出结论，为什么在IC的VCC端都会加两颗电容，一颗电解电容，一颗陶瓷电容，容值一般相差100倍以上，用来增加电容的滤波带宽。 解决方法： 使用BDL滤波器代替原来的多颗普通退耦电容。 BDL是一种新生代电容器。在高频状态下

关于电容电阻的使用，只知道有一些所谓的典型值，有助于选型，却不知道这些值是怎么来的。今天查了一下，才发现所谓的“E”规格。“ E ”表示“指数间距”(Exponential Spacing),在上个20世纪的电子管时代,电子元器件厂商为了便于元件规格的管理和选用、大规模生产的电阻符合标准化的要求，同时也为了使电阻的规格不致太多,协商采用了统一的标准组成元件的数值.它的基础是宽容一部定的误差,并以指数间距为标准规格.这种标准已在国际上广泛采用，这一系列的阻值就叫做电阻的标称阻值。 电阻的标称阻值分为E6、E12、E24、E48、E96、E192六大系列，分别适用于允许偏差为20%、±10%、±5%、±2%、±1%和±0.5%的电阻器。其中E24系列为常用数系，E48、E96、E192系列为高精密电阻数系 E6系列电阻标称阻值，对应允许偏差为±20%，查看E6系列电阻规格表。 E12系列电阻标称阻值，对应允许偏差为±10%，查看E12系列电阻规格表。 E24系列电阻标称阻值，对应允许偏差为±5%， 查看E24系列电阻规格表。 E48系列电阻标称阻值，对应允许偏差为±2%， 查看E48系列电阻规格表。 E96系列电阻标称阻值，对应允许偏差为±1%， 查看E96系列电阻规格表。 E192系列电阻标称阻值，对应允许偏差为±0.5%,±0.25%, ±0.1%，查看E192系列电阻规格表。

高性能差分驱动放大器与ADC窄带接口设计方法 介绍 ADI公司提供一系列的高性能差分放大器产品，其中包括ADL5561，ADL5562，AD8375，AD8376和AD8352，是对低失真，低噪声和低功耗的通用中频和宽带应用的首选放大器。除了宽带宽，低失真外，它们还具有增益调节功能，非常适合驱动ADC。 通过在驱动放大器和目标ADC之间采用窄带通抗混叠滤波器接口，可以衰减预期奈奎斯特区域外的放大器输出噪声，从而有助于保持ADC的SNR（信噪比）。 通常，当使用一个合适阶数的抗混叠滤波器时，SNR能提高数个dB。 本应用笔记提供了一种接口设计的方法，帮助用户在高性能驱动器放大器与ADC（包括具有开关电容输入的ADC）之间设计更有效的接口。应用笔记中介绍的窄带接口方法针对一些颇受欢迎的ADI公司无缓冲输入ADC的驱动进行了优化，如AD9246，AD9640和AD6655。 接口元件简介 窄带接口的目的是提供带通滤波，同时提供足够的阻抗变换。图1，图2和图3是不同放大器的ADC接口的窄带方法的框图。 四个主要组件块包括驱动放大器，低通滤波器，谐振匹配和ADC在定义接口时起着至关重要的作用，每个都需要仔细考虑。 以下各节将讨论对四者的具体要求。 器件 增益设置方法 输入阻抗 输出阻抗 最佳负载阻抗 用于滤波器设计的RL/RS(负载电阻/源电阻) AD8352 电阻 3kΩ 100 Ω

1． 匹配电容 -----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑 ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。 2． 负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。 3．一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高 4．负载电容是指晶振的两条引线连接 IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的 低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。 一份电路在其输出端串接了一个 22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个 10M的电阻， 这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向 180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外 180度的相移，整个环路的相 移 360度，满足振荡的相位条件