电路仿真

仿真要求 　　采用共发射极结构，中心频率$f_0=20MHz$，电压增益$G_v \geq 20dB$，带宽$BW \geq 1MHz$，电源电压$+12V$，输入电压峰值$1mV$。 参数设计 晶体管选型 　　本次实验选择型号为Q2SC1215的NPN三极管，如下图所示，该三极管极间电容较小，且具有较高的的上限频率，适合大多数的高频电路设计。 静态工作点 　　高频小信号放大电路最佳的工作点：集电极电流$I_c=2mA \sim 4mA$，基极电压$V_b=\frac{1}{3}V_{cc}$。取$R_{b1}=20k\Omega,R_{b2}=10k\Omega,R_e=1k\Omega$，此时$I_c \approx 3.18mA$。 LC参数 　　根据要求的中心频率，可知$L·C=64 \times 10^{-18}F·H$。此外，带宽$BW=\frac{f_0}{Q_L} \geq 1MHz$，即要求$Q_L=\sqrt{\frac{C}{L}}R_L \leq 20$，取负载$R_L=1k\Omega$，则$\sqrt{\frac{C}{L}} \leq \frac{1}{50}$。综上，取$C=80pF,L=0.8uF$，理论通频带为$2MHz$，品质因数$Q_L=10$。 电路图 性能指标观测 中心频率和通频带 　　 　　根据归一化的输出幅频曲线，测得中心频率为$f

Reflect 反射是引起 SI 的一个最基本因素，信号在传输线传播过程中，一旦它所感受到的传输线瞬时阻抗发生变化，那么就必将有发射发生。 反射是由于 传输线瞬时阻抗变化而引起的 下面就从理 论角度来分析一下反射的机理、反射系数和传输系数的计算 配个 简易图来加以说明 图中褐色的为电路板上的大面积铺铜层（ GND或者PWR） ， 它是信号的返回路径 。 绿色和红色是传输线， S1比 较宽， S2 较窄 ， 很明 显在 S1和S2的交接 处出现了阻抗不连续 ， 根据阻抗 计算公式应该是 Rs1<Rs2 。 那 么信号传输到这里的时候，从反射的定义来看应该是发生了反射 。 那 么究竟有多少信号被 反 射了呢？又有多少信号通过了界面进入 S2了呢？ 这里就涉及到了反射的计算，即反射系数的计算和传输系数的计算 在交界面， 虽然阻抗发生了变化，但是 电压和电流一定都是连续的 这个结论一定要能理解，电压和电流不可能出现一个断裂 即在交界面的左 边一点和右边一点，他们的电压和电流都是相等的 这里的一点点就像微积分中的那么一小点 在分界面的左 边一点点 S1中有：Rs1=V1/I1 （1） 在分界面的右 边一点点 S2中有：Rs2=V2/I2 （2） 其中的V1、V2分 别为分界面两侧的电压， I1和I2 为分界面两侧的电压 由上面的 电压和电流连续性得知： V1=V2,I1=I2 （3）

某厂面试归来，发现自己落伍了！>>> 一、首先将VDC 电阻 GND放置，然后连线，放置电流探针，如下图所示： 欧姆定律电路I=U/R 二、要获得V和I之间的关系曲线,需要进行相关参数。 1. Create a simulation profile by specifying DC Sweep as the Analysis Type. 2. Select Voltage Source as Sweep Variable and specify the name as V1. 3. Specify the following values: （1） Sweep type as Linear （2）Start Value as 0 （3） End Value 25 （4） Increment as 1 4. Click OK and Simulate the circuit in PSpice. 5. Place Current marker as shown in the waveform. 具体参数设置 三、仿真结果与理论吻合，本节就讲到这里，有疑问可在文档下方留言，需要的请添加关注，后续将持续分享更多学习干货。 仿真结果 来源： oschina 链接： https://my.oschina.net/u/4228486/blog/3197284

某厂面试归来，发现自己落伍了！>>> 首先，防止VDC和D1N4148如下图图一和图二； 图一 图二 然后，连线放置GND和放电流探针，这样在运行后软件就会默认仿真探针电流，就不用手动去设置参数； 图三 接着，新建一个仿真文件，名字自己命名，接着设置DC仿真参数，点击运行仿真按钮如图四五六； 图四 图五 最后仿真效果如下，可以点击1修改设置相应参数来观察波形是否与实际相符，好了本节就讲到这里，大家有什么疑问可以在下方留言。 图七 来源： oschina 链接： https://my.oschina.net/u/4228486/blog/3196530

第一种电路： 可以看出，当G级电压为0时，MOS管是导通的，切换至电池电压 ，负载电压为3.28V 当电源电压供电时，则MOS不导通，则负载电压为0关断状态。 第二种电路： 直接给负载加上电源电压，当有电源电压时，负载也有电压，当没有电源电压时，MOS管导通后负载则被电池供电。 来源： CSDN 作者： New_Joker 链接： https://blog.csdn.net/New_Joker/article/details/104672879

今天无意间看到自己磁盘利用率竟然69% ,正常的时候应该是43%,而且这两天也没有拷贝什么文件，于是就df du了一会儿终于在Qucs目录下找到了一个69G的文件 digi.vcd , 原来是我用Qucs仿真一个电路时一直仿真不出来（可能是电路太大了，也可能是个bug）,然后就直接强制关闭了qucs,没有想那么多。由于软件使用人数好像不多，google了也没有发现类似的问题。 所以当你仿真电路一直仿真不出来时这个时候在Qucs的目录里digi.vcd可能已经很大了，要是再强退，这个文件就一直留在你的磁盘中了，记得删掉它。 来源： oschina 链接： https://my.oschina.net/u/870108/blog/282887

今天给大家讲讲这款软件的仿真设计： Protel DXP 电路仿真概述 基于最新的Spice 3f5 模拟模型和XSPICE Simcode 数字模型仿真内核, Protel DXP 内嵌一个功能强大的A/D 混合信号仿真器,设计人员在进行原理图设计输入后,即可正确地仿真模拟和数字器件而无需通过A/D 转换或D/A 转换将其转换到其他模块中进行。它可以对当前所画的原理图进行仿真,在整个设计周期都可以查看和分析电路的性能指标,及时发现设计中所存在的问题并加以改正。设计者能够准确地分析电路的工作状况,从而提高电路的设计工作效率、缩短开发周期、降低生成成本。 Protel DXP 电路仿真设计的一般步骤 电路仿真是指在计算机上通过软件来模拟具体电路的实际工作过程,并计算出在给定条件下电路中各节点(包括中间节点和输出节点) 的输出波形。电路仿真是否成功,取决于电路原理图、元模型的仿真属性、电路的网表结构以及仿真设置等。Protel DXP 执行混合信号仿真的设计流程小编给大家画了一个图： 电路仿真流程： a ) 原理图设计: 首先, 新建一个原理图文件*.schdoc ,打开编辑环境,与普通原理图大致相同;然后,打开Libraries ,加载必要的元器件库,添加元器件并设置参数,这里所有的元器件都必须具有Simulation 仿真属性,否则仿真时将出现错误信息

一、什么是验证？ 比如，我们设计了一件shirt，我么要确认它的袖子是否一样长、尺寸和颜色是否是客户所需、扣子是否有缺损等，若都满足，则判定合格，这个过程就是验证。 二、我们进行验证，除了有验证计划，还需要构建测试平台。（DUT：被测器件） 三、为了直观的看到芯片验证在整个项目中的地位和作用，下面直接给出 芯片完整开发流程 。 1、新的芯片项目都是首先从市场人员与目标客户沟通开始的。这中间，市场人员会收集客户对于芯片的要求（主要包括功能、尺寸、功耗、性能），这些指标会被记录在 设计结构和产品文档 中去。 2、客户关心的系统层面的功能要求会被系统设计人员按照功能进一步划分为各个独立的子系统模块，这些子系统如果本身过于庞大，也会被进一步划分为功能模块，直到被划分的尺寸可以被小的设计团队进行硬件设计，并交付设计 功能描述文档 。 3、硬件工作人员将模块初步完成RTL级（寄存器级别，Register Transfer Level）的 硬件描述语言文件 。硬件设计人员一般会按照芯片的功能模块划分来分成不同的功能小组，同时系统设计人员的数目也会随着系统复杂程度的升高而增加。在硬件设计过程中，硬件设计工程师会将具体的功能描述文本通过逻辑翻译成为硬件描述语言(HDL，Hardware Description Language)，目前使用广泛的HDL语言VHDL和Verilog均被各个大的EDA

文章目录 预备知识 simulink 仿真 simulink 运行结果 matlab实现 matlab运行结果 C语言实现 C语言运行结果 预备知识 低通滤波器（ LPF ）可以滤除频率高于截止频率的信号，类似的还有高通滤波器，带通滤波器，带阻滤波器。一阶RC低通滤波器的电路如下图所示； 参考了Wiki了，然后推导了一遍；首先输入输出的关系如下； V i n ( t ) − V o u t ( t ) = R i ( t ) V_{in} (t)- V_{out}(t) = Ri(t) V i n ​ ( t ) − V o u t ​ ( t ) = R i ( t ) 所以电容的 Q c ( t ) Q_{c}(t) Q c ​ ( t ) 的充电时间为 t t t 因此满足以下条件； { Q c ( t ) = C V o u t ( t ) ⋯ ① i ( t ) = d Q c d t ⋯ ② \begin{cases} Q_{c}(t) = CV_{out}(t) \cdots ①\\ \\ i(t) = \cfrac{dQ_{c}}{dt} \cdots ② \end{cases} ⎩ ⎪ ⎪ ⎨ ⎪ ⎪ ⎧ ​ Q c ​ ( t ) = C V o u t ​ ( t ) ⋯ ① i ( t ) = d t d Q c ​ ​ ⋯ ② ​ 所以由①，②可得： V

〔实例 2.1〕试仿真得出一个幅度调制系统的输入输出波形。设输入被调制信号是一个幅度为 2v，频率为 1000Hz 的馀弦波，调制度为 0.5，调制载波信号是一个幅度为 5v，频率为 10KHz 的馀弦波。所有馀弦波的初相位为 0。 % ch2example1prg1.m dt=1e-5; % 仿真采样间隔 T=3*1e-3; % 仿真终止时间 t=0:dt:T; input=2*cos(2*pi*1000*t); % 输入被调信号 carrier=5*cos(2*pi*1e4*t); % 载波 output=(2+0.5*input).*carrier; % 调制输出 % 作图: 观察输入信号, 载波, 以及调制输出 subplot(4,1,1); plot(t,input);xlabel('时间 t');ylabel('被调信号'); subplot(4,1,2); plot(t,carrier);xlabel('时间 t');ylabel('载波'); subplot(4,1,3); plot(t,output);xlabel('时间 t');ylabel('调幅输出'); % 无噪声包络检波及恢复原信号 y = hilbert(output); am = (abs(y)/5-2)*2; subplot(4,1,4); plot(t,am);xlabel('时间 t')