电场

可见光波长范围：390~760纳米。 红光：波长范围：760~622纳米； 橙光：波长范围：622~597纳米； 黄光：波长范围：597~577纳米； 绿光：波长范围：577~492纳米； 青光：波长范围：492~450纳米； 蓝光：波长范围：450~435纳米； 紫光：波长范围：435~390纳米；可见，波长紫光最短，红光最长电场：　　0.无限大平面电场分布　　1.平行电容器的电场分布　　2.球壳电场分布　　3.通电长直线电场的分布　总结：做高四面，用高斯公式电势： 求带点圆环轴线上的电势分布（ ，对q积分） 带点量为q的圆盘再轴线上的电势分布（可以把圆盘看作无数个圆环，然后对dr积分，因为dV=dq/***,所以要将dq转化为dr才好积分， ） 球壳电势分布（用高斯公式求出电场强度，再对dr积分） 　　 4.无限长导体棒0电势点不能选取无限远处（选距导线r处的q点为0点） 电磁学： 静电只存在与导体表面 毕奥-萨法尔定律的dl对应导线长度 无限长导线周围的磁感应强度：u0I/2pix； 磁场的安培环路定理：磁感应强度B沿任意闭合曲线L的线积分等于该闭合回路所包围的电流代数和的u0倍 磁场力：BIL； 电与磁的联系： 求一导体棒绕一端点再磁场内转动，产生的感应电动势（为了使用电磁感应定律，选取一个虚拟闭合回路，然后利用公式计算，方向：直接楞次定理判定）

总结 知识点 19.1 稳恒电流 形成电流的条件： 在导体内有可以自由移动的电荷（载流子） 在导体内要维持一个电场，或者在导体两端要存在有电势差 电流（强度）：通过截面S 的电荷随时间的变化率 u为电子漂移速度。 电流密度矢量： 通过任意曲面的电流 ： 电流的连续性方程 单位时间内通过闭合曲面向外流出的电荷，等于此时间内闭合曲面内电荷的减少量 . 稳恒电流： （基尔霍夫第一方程 ）。 稳恒电场： 在稳恒电流情况下，导体中电荷分布不随时间变化形成恒定电场； 稳恒电场与静电场具有相似性质（高斯定理和环路定理），稳恒电场可引入电势的概念； 稳恒电场的存在伴随能量的转换. 欧姆定律： 非静电力：能不断分离正负电荷使正电荷逆静电场力方向运动. 电动势：单位正电荷从负极通过电源内部移到正极时非静电力所做的功. 19.2 磁场与磁感应强度 永磁体的性质： 具有磁性，能吸引铁、钴、镍等物质。 具有磁极，分磁北极N和磁南极S。 磁极之间存在相互作用， 磁极不能单独存在。 磁感应强度：当正电荷垂直于特定直线运动时，受力 将 方向定义为该点的 的方向. 大小： 磁感应线：曲线上每一点的切线方向就是该点的磁感强度 B 的方向，曲线的疏密程度表示该点的磁感强度 B 的大小. 方向：方向与电流成右手螺旋关系 19.3 毕奥-萨伐尔定律 电流与磁感应强度之间的公式关系； 毕奥-萨伐尔定律： 真空磁导率

在工作中遇到用stm8驱动LCD段码屏，发现很有意思，特在此记录下来。整个说明过程由液晶屏显示原理，驱动断码LCD液晶屏的方式，stm8驱动断码屏三块进行说明。 一、液晶屏显示原理 液晶是一种介于固态和液态中间的物质。通电时，液晶分子的排列变得有序，使光线容易通过；不通电时排列混乱，阻止光线通过。通过此原理制作成液晶显示器。 液晶显示器(LCD/Liquid Crystal Display)的显像原理，是将液晶置于两片导电玻璃之间，靠两个电极间电场的驱动，引起液晶分子扭曲向列的电场效应，以控制光源透射或遮蔽功能，在电源关开之间产生明暗变化，从而将影像显示出来。若加上彩色滤光片，则可显示彩色影像。在两片玻璃基板上装有配向膜，所以液晶会沿着沟槽配向，由于玻璃基板配向膜沟槽偏离90度，所以液晶分子成为扭转型，当玻璃基板没有加入电场时，光线透过偏光板跟着液晶做90度扭转，通过下方偏光板，液晶面板显示白色（如图1左）；当玻璃基板加入电场时，液晶分子产生配列变化，光线通过液晶分子空隙维持原方向，被下方偏光板遮蔽，光线被吸收无法透出，液晶面板显示黑色（如图1右））。液晶显示器便是根据此电压有无，使面板达到显示效果。（网上盗用，感谢，原文地址 http://www.520101.com/html/base/1202066690.html ） 图1 液晶屏一般有这几个参数：可视角度、亮度和对比度

前言 ​ 本文主要讲解处理高考物理中电场相关问题的方法，并给出例题示范。可能讲的比较简单，希望能起到抛砖引玉的作用。本文会对静电场的概念和公式进行梳理，并给出在考题中的应用。 概念和公式 电场强度和电场力 概念 ​ 电场 是存在于电荷周围能传递电荷与电荷之间相互作用的物理场。在电荷周围总有电场存在；同时电场对场中其他电荷发生力的作用。观察者相对于电荷静止时所观察到的场称为 静电场 。 （维基百科） ​ 电场力 是当电荷置于电场中所受到的作用力。或是在电场中为移动自由电荷所施加的作用力。其大小可由库仑定律得出。当有多个电荷同时作用时，其大小及方向遵循矢量运算规则。 （维基百科） ​ 从上述维基百科的解释，我们可以粗略的得出以下结论： 电场是客观存在的物质； 电场力是一种以电场为施力物体的作用力； 电场力大小由得出库仑定律； 既然是力，那么自然遵从力的矢量合成法则。 公式 公式 \(\rm{I}\) （库仑定律） \[ F=k{q_1q_2\over r^2} \] ​ 其中 \(q_1,q_2\) 表示两个点电荷的电量， \(r\) 表示距离， \(k\) 是静电力常数，约等于 \(9\times10^9 N\cdot m^2\cdot C^{-2}\) 。 公式 \(\rm{II}\) \[ E={F\over q} \] ​ 这便是电场强度 \(E\) 的比值定义式

PN结 1、P型半导体和N型半导体都是可以导电的，如图1、2所示。 图（1）P型半导体 图（2）N型半导体 P型半导体中空穴很多（大部分是掺杂的），所以空穴是P型半导体的多子，但也有少量的电子，这些电子是本征半导体激发的，因此电子是P型半导体中的少子； N型半导体中电子很多（大部分是掺杂的），所以电子是N型半导体的多子，但也有少量的空穴，这些空穴是本征半导体激发的，因此空穴是N型半导体中的少子； 如果外界温度升高时P型半导体和N型半导体内部的多子和少子都会增加，但是多子本来就很多，对总量影响较小；但对少子来说影响就不一样了，如果原来就2个少子，增加了2个那么就增加了1倍。因此温度对少子影响很大。 2、如果把P型半导体和N型半导体放到一起会出现什么呢？ 图（3）P型半导体和N型半导体放在一起的初始状态 P型半导体的空穴很多，N型半导体的电子很多，因此空穴会向N区扩散，电子会向P区扩散。 电子扩散到P区与空穴复合后都消失了，空穴扩散到N区和电子复合后也都消失了 。 图（4）扩散运动后P型半导体和N型半导体连接处的状态 如图4所示， P型半导体和N型半导体连接处产生了内电场，方向从右到左，这个电场阻碍扩散运动，也就是内电场阻值P区的空穴向N区扩散，也阻值了N区的电子向P区扩散。但是内电场会促进P区的空穴向N区漂移，N区的电子向P区漂移，当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时

short answer question 如何用偏振片鉴别自然光、部分偏振光、线偏振光 以光传播方向为轴, 偏振片旋转360°, 如果光强随偏振片的转动没有变化, 这束光是自然光. 如果用偏振片进行观察时, 光强随偏振片的转动有变化但没有消光, 则这束光是部分偏振光. 如果随偏振片的转动出现两次消光, 则这束光是线偏振光. 在日常生活中看到肥皂膜呈现出彩色条纹, 解释该现象. 这是一种光的干涉现象. 太阳光中含有各种波长的光波, 当太阳光照射肥皂膜时, 经油膜上下两表面反射的光形成相干光束, 有些地方红光得到加强, 有些地方绿光得到加强, 这样就可以看到肥皂膜呈现出彩色条纹. 简述静电平衡条件, 并用静电平衡条件和电势差的定义解释处于静电平衡状态的导体是等势体, 导体的表面是等势面. 条件: 1.导体内任一点的电场处处为零; 2.导体表面上任一点的电场强度处处垂直于表面. 导体是等势体, 是因为导体内部电场强度处处为零, 所以导体上任意点处的电势差为零, 所以导体内部各点电势相等;导体是等势面, 是因为导体表面任一点处的场强都垂直于表面, 无切向分量, 沿表面的电势差为零, 电势没有变化, 所以导体表面各点电势相等, 并与导体内电势相等, 故导体是等势体. 电势的物理意义是什么？通常情况下如何选择电势零点？为什么感生电场中不能引入电势的概念？ 电势是从能量角度上描述电场的物理量

偶氮苯分子作为光致变色分子，在紫外和可见光的照射下，可实现顺式与反式之间的相互转化。利用分子电路在单分子水平研究偶氮苯分子的异构化，不仅能实时观测单个分子对外界刺激的响应，研究其动力学过程，同时也有望实现单分子开关、单分子存储器等应用，实现器件微型化。 最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心SF10组博士生孟利楠在研究员孟胜和北京大学化学与分子工程学院教授郭雪峰的指导下，与加拿大麦吉尔大学郭鸿课题组、物理所张广宇课题组等合作发现石墨烯基单分子器件中光场和电场能有效地调控单个偶氮苯分子的结构和输运性质，揭示了偶氮苯分子异构化的内在物理机制。相关成果发表在《自然-通讯》（Nature Communications）上。 他们与合作者设计合成了以三联苯为主链、偶氮苯为侧链的分子，并在末端修饰上氨基，通过酰胺键将分子连接在石墨烯电极之间（图1a）。该分子在反式与顺式两种不同的构象下不仅在分子结构上有较大的差异，而且偶极矩在沿主链方向的投影也有很大的不同（图1b）。在单分子器件中，他们研究了偶氮苯分子输运信号对偏压以及光照的响应。分子结构的变化会影响分子的轨道能级，进而通过电导的变化表现出来。 研究发现偶氮苯分子在光场或某一方向的电场下，会发生由反式到顺式的构象变化，即光/电场会诱导偶氮苯分子异构化（图2a，负向偏压）。结合理论计算

【推荐】2019 Java 开发者跳槽指南.pdf(吐血整理) >>> 针对EMC整改中常用的问题进行、探讨，力图抛砖引玉进行讨论。 首先，要根据实际情况对产品进行诊断，分析其干扰源所在及其相互干扰的途径和方式。再根据分析结果，有针对性的进行整改。 一般来说主要的整改方法有如下几种： 1、减弱干扰源、在找到干扰源的基础上，可对干扰源进行允许范围内的减弱，减弱源的方法一般有如下方法： 1)、在IC的Vcc和GND之间加去耦电容，该电容的容量在0。01μF枣0。1μF之间，安装时注意电容器的引线，使它越短越好。 2)、在保证灵敏度和信噪比的情况下加衰减器。如VCD、DVD视盘机中的晶振，它对电磁兼容性影响较为严重，减少其幅度就是可行的方法之一，但其不是唯一的解决方法。 3)、还有一个间接的方法就是使信号线远离干扰源。 2、电线电缆的分类整理、在电子设备中，线间耦合是一种重要的途径，也是造成干扰的重要原因，因为频率的因素，可大体分为高频耦合与低频耦合。因耦合方式不同，其整改方法也是不同的，下边分别讨论： 1)低频耦合、低频耦合是指导线长度等于或小于1/16波长的情况，低频耦合又可分为电场和磁场耦合，电场耦合的物理模型是电容耦合，因此整改的主要目的是减小分布耦合电容或减小耦合量，可采用如下的方法： a、增大电路间距是减小分布电容的最有效的方法。 b、追加高导电性屏蔽罩

EMC设计就看这四招 电磁干扰的主要方式是传导干扰、辐射干扰、共阻抗耦合和感应耦合。对这几种途径产生的干扰我们应采用的相应对策：传导采取滤波，辐射干扰采用屏蔽和接地等措施，就能够大大提高产品的抵抗电磁干扰的能力，也可以有效的降低对外界的电磁干扰。本文从滤波设计、接地设计、屏蔽设计和PCB布局布线技巧四个角度，介绍EMC的设计技巧。 一、EMC滤波设计技巧 EMC设计中的滤波器通常指由L，C构成的低通滤波器。滤波器结构的选择是由"最大不匹配原则"决定的。即在任何滤波器中，电容两端存在高阻抗，电感两端存在低阻抗。图1是利用最大不匹配原则得到的滤波器的结构与ZS和ZL的配合关系，每种情形给出了2种结构及相应的衰减斜率(n表示滤波器中电容元件和电感元件的总数)。 其中：l和r分别为引线的长度和半径。寄生电感会与电容产生串联谐振，即自谐振，在自谐振频率fo处，去耦电容呈现的阻抗最小，去耦效果最好。但对频率f高于f／o的噪声成份，去耦电容呈电感性，阻抗随频率的升高而变大，使去耦或旁路作用大大下降。实践中，应根据噪声的最高频率fmax来选择去耦电容的自谐振频率f0，最佳取值为fo=fmax。 去耦电容容量的选择 在数字系统中，去耦电容的容量通常按下式估算： 二、EMC接地设计 接地是最有效的抑制骚扰源的方法，可解决50%的EMC问题。系统基准地与大地相连，可抑制电磁骚扰。外壳金属件直接接大地

电磁基本理论 1.何谓微波?微波有何特点？ 微波指频率在300MHz到300GHz、对应波长为1m到1mm之间的交流信号。 一些频段大体分配 波段 l波段 1-2GHz S波段 2-4GHz C波段 4-8GHz X波段 8-12GHz Ku波段 12-18GHz K波段 18-26GHz Ka波段 26-40GHz 微波特点 天线的增益与天线的尺寸成比例。在较高频率下，给定的天线尺寸可能得到较高的增益，有利于天线的小型化。 在较高的频率下可以实现更大的带宽。 各种分子、原子的谐振都发生在微波频率下，这使得微波在基础科学领域、遥感、医学诊断等方面有独特的研究。 2.麦克斯韦方程 https://wenku.baidu.com/view/5ae19c8c770bf78a64295438.html 第一方程： 不仅传导电流可以产生磁场，位移电流（变化的电场）也可以产生磁场。故时变电流（真实电流）和时变电场（位移电流）都是时变磁场的源 第二方程： 变化的磁场可以产生电场，即变化的磁场是时变电场的涡旋源 第三方程： 磁场是无源场，磁力线是闭合曲线 第四方程 ：时变电场是有源场 本构方程 边界条件 H的边界条件 E的边界条件 B的边界条件 D的边界条件 3.导行波 导行波：沿导行系统定向传播的电磁波。传输系统中的模式（简称模）又称为波型（简称波）