ddr3内存

DDR3 N X N 目前 DDR3 8 8 DDR 3 3 - 8 3 30 3 - 8 1 10 2 =1 Rank 时 在写入时，以DQS的高/低电平期中部为数据周期分割点，而不是上/下沿，但数据的接收触发仍为DQS的上/下沿 Column 1．结构框图： 2．管脚功能描述 3．状态图： ZQ ZQCL DRAM DRAM IO ODT 0.5% RON RTT Al ddr3 AL DDR3 DDR3 FLY_BY FLY_BY stub strobe FPGA CPU ,tdss tdsh ddr3 DDR3 DQS CK DQS DQS 0 1 DQS tDQSS DDR3 MR MR DDR MR MR0 MR1 MR2 MR4 MR0 DDR3 CAS DLL MR1 DLL Rtt_Nom MR2 Rtt_WR CAS MR3 MPR MPR MPR MRS MR3 A2 位写 1 ddr3 bank idle MPR RD RDA MPR MPR MPR MR3 A2=0 RD RDA MPR RESET in-progress in-progress Idle bank DRAM ODT RTT WL AL +CWL MRS MR2 A9 A10 Rtt_WR D dr3 RTT RTT_Nom, RTT_WR;Rtt_Nom ODT Rtt_wr Rtt

内存系列二：深入理解硬件原理 https://www.cnblogs.com/tcicy/p/10087457.html忘记转这一篇了 内存相关的东西 其实理解了挺好的..cache还有main memory 本篇文章承接上文继续介绍DDR内存的硬件原理，包括如何寻址，时序和时延以及可以为提高内存的效能可以有哪些方法。 上次虽然解决了小张的问题，却引发了他对内存原理的兴趣。这不他又来找我了，说我还欠他一个解释。这次我们约在一个咖啡馆见面，这次内容有点深入，我带了些图片，小张也点了一大杯美式，计划大干一场。看着他认真的样子，我也决定毁人不倦，把他也带入IT工程师的不归路。。。 寻址(addressing) 为了了解前几天说的几个延迟参数，不得不介绍下DIMM的寻址方式。也许你发现了上次介绍Rank和chip的关系时，有个Bank/Column/row我们没有讲到，它们和如何寻址密切相关。还记得上次的图片吗？ 这次我们来看看rank和Chip里面有什么，如下图： 这是个DDR3一个Rank的示意图。2GB的内存共有16个chip，每个chip容量为128MB。我们把左边128MB Chip拆开来看，它是由8个Bank组成，每个Bank核心是个一个存储矩阵，就像一个大方格子阵。这个格子阵有很多列（Column）和很多行（Row），这样我们想存取某个格子，只需要告知是哪一行哪一列就行了