存储芯片

1. SRAM存储器（静态读写存储器） 存取速度快，容量小，价格昂贵。 基本的静态存储元阵列包含：1. 存储位元 2. 三组信号线（地址线、数据线、控制线）。 通常做成Cache，Cache主要是为了平缓各器件之间的差异。 掉电就丢失。 注意：读写操作不会同时发生。 （读与写功能的互锁逻辑） 2. DRAM存储器（动态读写存储器） 存储容量大，速度慢，价格低廉。 存储位元的记忆原理：DRAM存储器的存储位元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路。——MOS管被当作开关使用，信息1或0则是有电容器上的电荷量来体现的。——充满电时为1，没有电荷时为0。 通常做成主存 SRAM与DRAM的比较 SRAM DRAM 存储信息 触发器 电容 面积 大 小 容量 少 多 存储成本 高 低 破坏性读出 非 是 需要刷新 不要 要 存取速度 快 慢 功率损耗 少 多 集成度 低 高 3. SRAM和DRAM容易扩充，扩充原则：先横后竖 字长位数扩展（位扩展） 需要用多片给定芯片扩展字长位数。 所需芯片：D=设计要求的存储器容量/选择芯片存储器容量 字存储容量扩展（字扩展） 给定的芯片存储容量较小（字数少），此时需要用多片给定芯片来扩展字数。 所需芯片：D=设计要求的存储器容量/选择存储器容量 字扩展： 所需芯片数量=CPU能访问的存储器总容量/每个芯片所能提供的容量。

主存和CPU的连接 1、连接原理 2、主存容量扩展技术 2.1、位扩展法 2.2、字扩展法 1.3、字位同时扩展 3、存储芯片的地址分配与片选 3.1、线选法 3.2、译码片选法 4、搭建主存系统 4.1、选取存储芯片 4.2、地址线连接方式 4.3、数据线连接方式 4.4、控制命令线连接方式 4.5、片选线连接方式 1、连接原理 1）主存通过数据总线、地址总线和控制总线与CPU连接。 2）数据总线的位数与工作频率的乘积正比于数据传输率。 3）地址总线的位数决定了可寻址的最大内存空间。 4）控制总线（读/写）指出总线周期的类型和本次输入/输出操作完成的时刻。 主存和 CPU 连接方式大致如下图： 2、主存容量扩展技术 CPU 的数据线数与存储芯片数据位数不一定相等，通常进行位扩展，用多个存储芯片对字长进行扩充，使数据位数与 CPU 的数据线数相等。可用的技术方法有位扩展法、子扩展法和字位同时扩展法。 2.1、位扩展法 位扩展就是将多个存储芯片的地址端、片选端和读写控制端相应并联，数据端分别引出， 如图将 8 片 8K 1 位芯片组成 8K 8 位芯片组，所有芯片的地址线、片选信号线以及命令信号线都分别连在一起，而每片的数据线作为 CPU 数据线的一位。 注意： 仅采用位扩展时，各个芯片连接地址线的方式一样，而连接数据线的方式不一样，某一时刻选中所有芯片

不同点： 1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。 3) 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I

1) 闪存芯片读写的基本单位不同 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。 3) 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。 4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I

存储器 存储器的分类 磁芯存储器：通过磁性材料的磁场方向来存储信息，X、Y方向通电来改变磁场方向 半导体存储器是易失的，剩下的是非易失的 Flash Memory:半导体存储器，速度比磁盘快、比存储器慢，用作U盘，也可作为高性能硬盘和主存和辅助存储器之间的缓存层（SSD） https://zhidao.baidu.com/question/72838372.html 目前市面上出现了大量的便携式存储设备，这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质。采用半导体存储介质的优点在于可以把体积变的很小，便于携带；与硬盘类存储设备不同，它没有机械结构，所以不怕碰撞，没有机械噪声；与其它存储设备相比，耗电量很小；读写速度也非常快。半导体存储设备的主要缺点就是价格较高和容量有限。现在的半导体存储设备普遍采用了一种叫做“Flash Memory”的技术。从字面上可理解为 闪速存储器 ，它的擦写速度快是相对于EPROM而言的。Flash Memory是一种非易失型存储器，因为掉电后，芯片内的数据不会丢失，所以很适合用来作电脑的外部存储设备。它采用电擦写方式、可重复擦写10万次、擦写速度快、耗电量小。 只能说它是一种特殊的半导体存储器，非易失 trade-off:复杂的存储体系是在速度和价格之间权衡的结果 通过软硬件相结合的方式，将存储体系连接为一个整体，使得从某一级程序员来看，存储是一个高速、大容量

ylbtech-公司-半导体：Micron 美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是 高级半导体解决方案 的全球领先供应商之一。通过全球化的运营，美光公司制造并向市场推出 DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器 、 其它半导体组件以及存储器模块 ，用于 前沿计算、消费品、网络和移动便携产品 。美光公司普通股代码为MU，在 纽约证券交易所 交易（NYSE）。 1. 返回顶部 1、 中文名：美光科技 外文名：Micron Technology, Inc 类 型：高级 半导体 解决方案供应商之一 地 点：美国 爱德 荷州首府 博伊 西市 目录 1 简介 2 CEO遇难 3 收购尔必达 ▪ 收购背景 ▪ 价格趋稳 ▪ 生产转型 ▪ 获益有限 4 西安分公司 2、 2. 返回顶部 1、 简介 Micron Technology（美光科技）：位于美国爱达荷州首府博伊 西市 ，于1978年由Ward Parkinson、Joe Parkinson、Dennis Wilson和Doug Pitman创立，1981年成立自有晶圆制造厂。 美光 科技有限公司（以下简称美光科技）是全球最大的 半导体储存及影像产品 制造商之一，其主要产品包括DRAM、 NAND闪存 和CMOS影像传感器。美光科技 LOGO 先进的产品广泛应用于 移动、计算机 、 服务、汽车、网络、安防

【推荐】2019 Java 开发者跳槽指南.pdf(吐血整理) >>> 本系列前面两篇文章《[攻克存储] SRAM地址线的连接》和 《[攻克存储] 存储芯片的写屏蔽及扩展》已经介绍了SRAM芯片的地址线连接方法以及存储芯片的写屏蔽扩展，这两篇文章基本上是从SRAM的角度在进行讲解和描述，其中许多原理在SDRAM/DDR芯片中也同样适用，不过，SDRAM/DDR 存储芯片的结构和寻址方式相对于ROM、SRAM、DRAM而言，还是有很大的变化和不同的，本文就着重介绍SDRAM/DDR的相关知识点和应用注意事项。 在存储结构上，SDRAM/DDR采取了多Bank方式，每一个逻辑Bank即为一个存储阵列，一般一个SDRAM芯片有2~8个Bank。我们可以把Bank想象为一个表格，如下： 图中的Bank是一个14行17列的逻辑存储结构，假设该SDRAM芯片有4个Bank，则其存储空间为：4 x 2^14 x 2^17 bit = 2^33 bit = 1GB 在寻址方式上，首先，多了几个Bank选择引脚，例如对于4个Bank的SDRAM，则有2个引脚（BA0~BA1）进行Bank选择。当具体Bank选定后，再给出行列地址从而定位到具体的存储位置。而行列地址值由相应的地址线引脚分时复用得到。 下面研究一个具体的SDRAM电路图，如下图所示

1.　冯•诺依曼计算机的特点主要有： （1） 计算机由运算器，控制器、存储器和输入/输出设备五大部件构成 ，缺少任何一个部件都无法正常工作 （2） 指令和数据都以同等地位存放在存储器中 ，并可按地址访问。 （3）指令和数据都均以 二进制形式表示 （4） 指令在存储器中按顺序存放 。通常，指令是顺序执行的。在特殊情况下，可根据运算结果或指定的条件改变运算顺序。 （5） 指令由操作码和地址码组成 。操作码表示操作的性质，地址码表示操作数在存储器中的位置 （6） 机器以运算器为中心。 2.计算机系统的层次结构 计算机系统层次结构，指的是计算机系统由 硬件和软件 两大部分所构成，而如果 按功能再细分 ，可分为 7层 。 3.计算机各种性能指标之间的关系 总线的技术指标： 1. 总线的带宽 （ 总线数据传输率 ）：总线带宽是指单位时间内总线上传输的数据量 2. 总线位宽：总线能同时传输的二进制位数 ，或数据总线的位数。 3.总线的工作频率：总线工作频率单位以MHz为单位，工作频率越高总线工作速率越快，总线带宽越宽。 4.各种性能指标之间的关系p19 计算机性能的定义： 吞吐率和响应时间 是考量一个计算机系统性能的基本指标。 吞吐率表示在单位时间内所完成的工作量 。在有些场合，吞吐率也可以称为带宽。 响应时间也被称为执行时间或等待时间 ，是指从作业在CPU上执行所用的时间外，还包括磁盘访问时间

首颗国产DRAM芯片的技术与专利，合肥长鑫存储的全面深度剖析 https://mp.weixin.qq.com/s/g_gnr804q8ix4b9d81CZ1Q 2019.11 　　 存储芯片已经成为全球珍贵的战略资源 ，国内从过去完全缺席的困境，经历三年焚膏继晷的研发，已陆续在 3D NAND 和 DRAM 上打破国际垄断。 　　论垄断势力，DRAM 产业尤为严重。 相较于 3D NAND 在国际间仍有六大供应商可以选择，DRAM 产业却被三星、SK 海力士、美光三大供应商试图守得滴水不漏。 　　 这三家巨头都是左手 DRAM、右手 3D NAND ，三星还有手机、白色家电等一线品牌，SK 海力士更是隶属于韩国 SK 通信集团，两家背景都是家大业大的豪门贵胄。 图：DeepTech 　　一、中国自主研发 DRAM 芯片宣告量产 　　无论三大阵营如何滴水不漏的防备，努力与毅力仍是有水滴石穿的一天。 　　 2019 年 9 月 19 日合肥长鑫存储宣布自主研发的 8Gb DDR4 芯片正式量产，采用 19 纳米工艺打造 ，继长江存储打破全球 3D NAND 垄断后，DRAM 市场也被长鑫存储以水滴石穿的毅力，硬生生劈出一条缝来。 　　长鑫存储的主要股东为合肥市政府与北京兆易创新，以 4 比 1 投资份额所组成。 　　长鑫存储对问芯 Voice 表示， 合肥 12 寸晶圆厂分为三期

现在市面上手机参数动不动就是8GB+128GB，手机的这些参数是越大越好吗？这些数字代表什么？宏旺半导体ICMAX给大家科普下。 手机的运行内存RAM――LPDDR4X LPDDR4X为RAM（运存）参数，对应电脑中的内存DDR，一般高端旗舰机才会使用。LPDDR4X是四代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器，是第四代移动设备的“工作记忆”内存，归属于DRAM，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 LPDDR可以说是全球范围内最广泛使用于移动设备的“工作记忆”内存，是美国JEDEC固态技术协会面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。LPDDR的大小级别与手机运行速度及价格密切相关，作为直接与手机处理器（cpu）交互的存储载体，其读写速度越快，功耗低，手机运行的速度越快，带给用户的最直观感受是，手机响应迅速，打开软件速度快，不会卡顿，电池使用时间更长，手机发热减少。 手机的闪存ROM――UFS2.1 而UFS2.1为ROM（闪存）参数，对应电脑中的硬盘，是一种非易失性内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异，闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘