cmos电路

　　数码相机的关键元件CCD或CMOS又称为“影像传感器”，其作用相当于感光胶片。CCD尺寸越大，采集光线的效果越好，画面记录的信息就越多，保留的细节也就越丰富，所以图像更完美漂亮。 　　CCD尺寸的大小与像素的多少有一定的联系，但是也不尽然。专业数码单反尼康的D2Hs，别看它像素只有410万，可CCD的尺寸却是23.5×15.7mm；而柯达的DX7590数码相机虽拥有500万像素，但CCD尺寸只有5.38×4.39mm，两块CCD面积相差近10倍。可以肯定地说，D2Hs拍出的图像质量要比柯达DX7590拍出的画面要好得多，而且图像越放大越能证明这一点。所以购买数码相机时，千万不要盲目追求高像素，还要看看它的CCD尺寸有多大！ 　　目前CCD、CMOS最大尺寸（除120专用的数码后背）与35毫米传统胶片的底片一致，即24×36mm。所以又称为“全画幅”CCD。 　　大尺寸的CCD制作成本非常高，已经成为了数码相机(主要是数码单反相机)价格居高不下的主要颈瓶。 　　CCD和CMOS在制造上的主要区别主要是CCD是集成在半导体单晶材料上，而CMOS是集成在被称为金属氧化物的半导体材料上，工作原理没有本质的区别，都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换，这种转换的原理与太阳能电子计算机的太阳能电池效应相近，光线越强、电力越强；反之，光线越弱、电力也越弱

单从感光器电子技术上来说，CCD比CMOS更先进，理论成像上有优势，但是最近几年CMOS却发展更好，使得很多高端数码单反采用CMOS传感器，下面来看看CCD和CMOS的技术知识： CCD和CMOS传感器是目前最常见的数字图像传感器，广泛应用于数码相机、数码摄像机、照相手机和摄像头等产品上。两者在结构、性能和技术上均不尽相同，在此我将两者作一个简单的比较，使广大读者对CCD和CMOS能有一个比较初步的认识，在选购相关产品时也能做到心中有数。 CCD与CMOS传感器的结构比较 CCD(Charge Coupled Device)，即“电荷耦合器件”，是一种感光半导体芯片，用于捕捉图形，但CCD没有能力记录图形数据，也没有能力永久保存，所有图形数据都会不停留地送入一个模数转换器，一个信号处理器以及一个存储设备。1970美国贝尔实验室发明了CCD。二十年后，人们利用这一技术制造了数码相机，将影像处理行业推进到一个全新领域。 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)，即“互补金属氧化物半导体”。它是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导所需的大量资料。有人发现，将CMOS加工也可以作为数码相机中的感光传感器，其便于大规模生产和成本低廉的特性是商家们梦寐以求的。 CCD和CMOS在制造上的主要区别主要是CCD是集成在半导体单晶材料上

谈谈TTL和CMOS电平(转贴) TTL——Transistor-Transistor Logic HTTL——High-speed TTL LTTL——Low-power TTL STTL——Schottky TTL LSTTL——Low-power Schottky TTL ASTTL——Advanced Schottky TTL ALSTTL——Advanced Low-power Schottky TTL FAST(F)——Fairchild Advanced schottky TTL CMOS——Complementary metal-oxide-semiconductor HC/HCT——High-speed CMOS Logic(HCT与TTL电平兼容) AC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT与TTL电平兼容)（亦称ACL） AHC/AHCT——Advanced High-speed CMOS Logic(AHCT与TTL电平兼容) FCT——FACT扩展系列，与TTL电平兼容 FACT——Fairchild Advanced CMOS Technology 1，TTL电平： 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平 是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0

TTL,CMOS,和RS232 1、TTL电平标准 输出 L： <0.8V； H：>2.4V 。 输入 L： <1.2V； H：>2.0V TTL器件的输出：低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。 输入：低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。 于是，TTL电平的输入：低电平的噪声容限就只有(0.8-0)/2=0.4V，高电平的噪声容限为(5-2.4)/2=1.3V。 2、CMOS电平标准 输出 L： <0.1 Vcc； H：>0.9 Vcc。 输入 L： <0.3 Vcc； H：>0.7 Vcc. 由于CMOS电源采用12V，则输入低于3.6V为低电平，噪声容限为1.8V，高于3.5V为高电平，噪声容限高为1.8V。比TTL有更高的噪声容限。 3、RS232标准 逻辑1的电平为-3～-15V，逻辑0的电平为+3～+15V，注意电平的定义反相了一次。 TTL与CMOS电平使用起来有什么区别? 1、电平的上限和下限定义不一样，CMOS具有更大的抗噪区域。同是5伏供电的话，TTL一般是1.7V和3.5V，CMOS一般是2.2V,2.9V，不准确，仅供参考。 2、电流驱动能力不一样，ttl一般提供25毫安的驱动能力，而CMOS一般在10毫安左右。 3、需要的电流输入大小也不一样，一般ttl需要2.5毫安左右，CMOS几乎不需要电流输入。 4、很多器件都是兼容TTL和CMOS的

http://hi.baidu.com/hieda/blog/item/4c53ed2b4c4dc7f9e6cd40fe.html 数字电平标准 [部分转帖] 下面总结一下各电平标准。和有需要的人共享一下^_^. 现在常用的电平标准有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，还有一些速度比较高的 LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。 TTL ：Transistor-Transistor Logic 三极管结构。 Vcc：5V；VOH>=2.4V；VOL<=0.5V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 因为2.4V与5V之间还有很大空闲，对改善噪声容限并没什么好处，又会白白增大系统功耗，还会影响速度。所以后来就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。 LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低电压的LVTTL(Low Voltage TTL)。 3.3V LVTTL ： Vcc：3.3V；VOH>=2.4V；VOL<=0.4V；VIH>=2V；VIL<=0.8V。 2.5V LVTTL ： Vcc：2.5V；VOH>=2.0V；VOL<=0.2V；VIH>=1.7V；VIL<=0.7V。 更低的LVTTL不常用就先不讲了

http://hi.baidu.com/hieda/blog/item/2fdeab4388b6a11072f05d28.html (一) TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。 CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。 EDA中国门户网站 e q C9f Q TTL电路不使用的输入端悬空为高电平，另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。 用TTL电平他们就可以兼容 (二) TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。 因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。 (三) TTL电平标准 输出 L： <0.8V ； H：>2.4V。 输入 L： <1.2V ； H：>2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。 CMOS电平： 输出 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc。 输入 L： <0.3*Vcc ； H：>0.7*Vcc. 一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下，同电压的是可以的

一老式的Dell台式机,开机出现按F1继续按F2进cmos设置的提示,首先检查主板cmos电池供电是否正常,发现电池为3V,所以应该不是电池供电不足.但是重启后不会再次出现按F1的提示,如果彻底关闭并拔出电源后,故障会再次出现,可以推断是主板的cmos电池供电电路问题. 来源： CSDN 作者： jsship 链接： https://blog.csdn.net/jsship/article/details/7990614