半导体

最受芯片企业欢迎的十大城市 2019-06-18 15:05 http://www.sohu.com/a/321353042_450500 撰文 | 优秀 来源 | 选址960 本文5200字，预计阅读时间10分钟 特殊时刻，华为「备胎」海思所有芯片一夜转正，振奋了海思也提振了「中国芯」的信心。5月24日，国内最大的芯片制造商，中芯国际也宣布「出于一些考虑因素」，主动申de请从纽约证券交易所退市。消息一出，圈粉无数，中芯国际港股大涨。 美国「芯片」断供，中国被迫走上自强之路。「芯片」成为人人关注，却知之不深的行业。实际上，芯片是集成电路的载体，也用来当作集成电路的简称。芯片产业链一般包括设计开发、晶圆制造、封装测试三个环节。 大力引进高新技术产业，发展新一代信息技术。明面上，各地高喊「集成电路产业」。暗地里，芯片企业早已划分好了各自的生长区域：长三角、珠三角彰显国内最强「芯」实力；更有西北内陆省份「闷声不响」，其集成电路产量早已跃居全国第二位；而国内外一些芯片领军企业，又开始了「芯」布局…… 2018年集成电路产量，江苏全国领跑；2018年集成电路产销售规模，上海一家独大；若是单论2018年设计业的销售额，深圳位居国内所有城市之首……跟随选址960破译芯片企业的分布密码，总有惊喜在等你。 1 产值最高：上海 长三角可谓中国半导体发源地之一，历史可追溯到上个世纪60年代

【芯历史】从《瓦森纳协定》看中芯、华虹的崛起 https://www.ijiwei.com/html/news/newsdetail?source=pc&news_id=730493 集微网消息（文/Oliver），新中国壮丽七十载，而中国大陆制造芯片的历史只有二十年左右的时间。起步虽晚，但中芯国际和华虹半导体现已跻身全球晶圆代工前十名。集微网在国庆佳节之际，从这两家公司的角度，和您一同回顾中国的造芯往事。 拦路虎“瓦森纳” 上世纪末期，日韩和欧美都通过一些政策来给予集成电路产业最大的鼓励和支持。中国也紧跟国际趋势，推出了“908工程”和“909工程”。 中国政府主导的“908工程”是90年代第八个五年计划期间实施的发展微电子产业的重点工程，主体企业是由742厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立的中国华晶电子集团公司，该项目的建成投产使国内集成电路生产技术水平由2-3微米提高到0.8-1微米。 “909工程”则是我国在发展微电子产业90年代第九个五年计划，第二次冲击IC产业高地的“909”共投资了100亿元。1996年，作为“909工程”的主体承担单位，上海华虹微电子有限公司正式成立。此后，上海华虹微电子与日本NEC公司合作，组建了上海华虹NEC作为该工程的主要承担者。 1998年，上海华虹微电子有限公司正式更名为上海华虹（集团）有限公司。次年

一、场效应管工作原理 　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称 场效应管 。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^ 7～10^ 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 　　场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。 二、场效应管的分类 　　 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。 　　目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 　　按沟道半导体材料的不同

现在市面上手机参数动不动就是8GB+128GB，手机的这些参数是越大越好吗？这些数字代表什么？宏旺半导体ICMAX给大家科普下。 手机的运行内存RAM――LPDDR4X LPDDR4X为RAM（运存）参数，对应电脑中的内存DDR，一般高端旗舰机才会使用。LPDDR4X是四代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器，是第四代移动设备的“工作记忆”内存，归属于DRAM，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 LPDDR可以说是全球范围内最广泛使用于移动设备的“工作记忆”内存，是美国JEDEC固态技术协会面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。LPDDR的大小级别与手机运行速度及价格密切相关，作为直接与手机处理器（cpu）交互的存储载体，其读写速度越快，功耗低，手机运行的速度越快，带给用户的最直观感受是，手机响应迅速，打开软件速度快，不会卡顿，电池使用时间更长，手机发热减少。 手机的闪存ROM――UFS2.1 而UFS2.1为ROM（闪存）参数，对应电脑中的硬盘，是一种非易失性内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异，闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘

半导体 什么是半导体 半导体（semiconductor） 　　半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。 硅元素 高纯的 单晶硅 是重要的半导体材料。在 单晶硅 中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第 VA族元素 ，形成n型和 p型半导体 结合在一起，就可以完成 辐射能 电能相互转化的装置。 掺杂 掺杂是在硅中加入一些元素形成空穴或自由电子的过程。 N型硅（Negative） 如果在硅中加入P元素，P和Si形成共价键而P的第五个价电子没有被共价键束缚，在原子周围游荡。 如果一个电压加到Si-P混合物，这个电子将会受到电场力穿过掺杂的硅片向电势高的地方移动。 P型硅(Positive) 如果在硅片中加入B元素，那么B和Si结合形成共价键，而B只有3个价电子，所以会形成空穴。 如果在这种晶片上施加电压，那么相邻电子在受到电场力的作用下来补上空穴，使得空穴向电势低的方向移动。 二极管 PN结二极管的工作原理 正向偏置 　　当二极管的P极连接到一个电池的正极，N连接到该电池的负极，此时N型区的电子和P型区的空穴受到电场作用向PN结推进，电子与空穴结合，电流通过二极管。 反向偏置 　　当二极管的P极连接到一个电池的负极，N连接到该电池的正极，此时N型区的电子和P型区的空穴受到电场作用向两端分离，阻隔电流通过二极管。 双极型晶体管 双极型晶体管是三端器件

2019年，宏旺半导体取得经中华人民共和国国家版权局颁发的计算机软件著作权，ICMAX又一份知识产权（软件著作权）正式公布——宏旺存储对比工具APP软件V1.0 ，这对检测安卓手机eMMC、UFS有了革命性的突破，不用老式方法拆机即可检测安卓系统里eMMC、UFS的读写功能。 宏旺存储检测APP开创初衷是用来对比手机里eMMC、UFS是否有读写错误。在以往，对手机内存性能有疑问，只能拆机，取出手机里的内存芯片进行检测，这样检测过程不是很便捷，同时需要拆机工程量较大。宏旺半导体预设在原测试方法上，改进测试程序，寻求一种新的解决思路，在手机上即可检测，宏旺存储检测APP应运而生。 目前该APP并未对外发布，仅限宏旺半导体内部测试使用，宏旺存储检测APP不光能科学测试eMMC读写速度，更能测出该芯片是否为良品，原理即把eMMC写满一个值，然后读出来对比，如果有值出错了，就是不良的eMMC，对手机问题起到了高效的排除作用。目前该款APP为技术排查节省了大量的人力与时间，完全自动化，操作简单方便，两步即可完成测试，打开页面勾选要测试的项，待校验完成后，“检验信息”处会自动显示测试结果，对实际使用意义重大。 宏旺半导体作为一家专注于存储芯片的高科技企业，一向高度重视产品研发与技术创新，近年来公司持续增加研发投入，加快自身创新体系建设，科技硕果累累。上述计算机软件著作权的取得和应用

这里给大家整理了海思平台芯片型号和处理器所对应的用途，后续会持续更新/添加，大家知道的也可以在留言处告诉我 华为海思半导体（Hisilicon） 监控设备 Hi3559AV100 高端行业IP摄像头Soc 华为海思半导体（Hisilicon） 监控设备 Hi3519AV100 先进的智能IP摄像头Soc 华为海思半导体（Hisilicon） 监控设备 Hi3516CV500 主流2M智能IP摄像头SoC 华为海思半导体（Hisilicon） 监控设备 Hi3516DV300 专业4M智能IP摄像SoC 华为海思半导体（Hisilicon） 监控设备 Hi3519V101 先进的工业IP摄像头Soc 华为海思半导体（Hisilicon） 监控设备 Hi3516AV200 主流行业IP摄像头Soc 华为海思半导体（Hisilicon） 监控设备 Hi3516AV100 主流行业IP摄像头Soc 华为海思半导体（Hisilicon） 监控设备 Hi3516DV100 先进的全高清IP摄像头Soc 华为海思半导体（Hisilicon） 监控设备 Hi3516CV300 主流全高清IP摄像头Soc 华为海思半导体（Hisilicon） 监控设备 Hi3516CV100/200 主流全高清IP摄像头SoC 华为海思半导体（Hisilicon） 监控设备 Hi3516EV100

半导体 半导体内容分析是为了后面推挽输出、漏极开路输出、集电极开路输出内容做铺垫的 晶体管泛指一切以 半导体材料 为基础的单一元件。 半导体 定义：半导体指常温下导电性能介于 导体 与 绝缘体 之间的材料。 半导体发展史 半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。 1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现 硫化银 的 电阻 随着温度的变化情况不同于一般 金属 ，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但 法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低 。这是半导体现象的首次发现。 不久，1839年法国的 贝克莱尔发现半导体和 电解质 接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的 光生伏特效应 ，这是被发现的半导体的第二个特性。 1873年，英国的 史密斯 发现硒晶体材料在光照下电导增加的 光电导效应 ，这是半导体的第三种特性。 在1874年， 德国 的 布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个 正向电压 ， 它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的 整流效应 ，也是半导体所特有的第四种特性。同年，舒斯特又发现了铜与 氧化铜 的整流效应。 半导体的这四个特性，虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由

　　晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 　　二极管的英文是diode。二极管的正.负二个端子,(如图)一端称为阳极,一端称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。 　　二极管（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。 　　大部分二极管所具备的电流方向性，通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性，而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。

0 引言 可能会投的公司记录一下。 1 工业测量领域 （1）荷兰阿斯麦（Advanced Semiconductor Material Lithography, ASML）公司， 注册标识为ASML Holding N.V. （1.1）概述：这是一家总部设在荷兰艾恩德霍芬(Veldhoven)的全球最大的半导体设备制造商之一，向全球复杂继承电路生产设备提供领先的综合性关键设备，如光刻机等。 （1.2）产品服务：TWINSCAN系列是目前世界上精度最高、生产效率最高，应用最为广泛的高端光刻机型。目前，全球绝大多数半导体生产厂商，都向ASML采购TWINSCAN机型，比如intel，三星，海力士，台积电，中芯国际等。 （2）中芯国际，国内最大的芯片代工企业 来源： https://www.cnblogs.com/ghjnwk/p/11547314.html